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第209章 啥叫瞪誰誰死系統 木總懵了

  第209章 啥叫瞪誰誰死系統 木總懵了

  這才看了三個單元,已經這麼多驚喜了,木總對接下來的十個單元期待的不得了,可小趙老師擺擺手說下面的不用看了。

  「為啥不看了!」

  趙國慶說:「技術還不成熟,沒什麼好看的!」

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  「……」

  木總笑道:「既然來了,再看看吧!」

  小趙老師拗不過,只能去了04棟。

  木總一進入實驗室就愣住了……

  「這……這是飛行員頭盔?」

  趙國慶點點頭,頭盔顯示系統在小趙老師計劃中是排在前列的,雖說突破了不少技術難關,但有一個關鍵問題還是解決不了。

  木總戴上頭盔就發覺這個問題,頭盔太重了,感覺有五千克左右,這玩意要是飛行員戴上,一個加速相當過載了五六十千克,誰頭上戴著這玩意也承受不住啊!

  但體驗一下功能,木總馬上被102所的科技所折服。

  他發現隨著頭盔的移動,面前的雷達天線模型可以跟著轉動。

  而眼前的畫面上可以看到模擬的目標正在被鎖定……

  他只是盯著目標看了一眼,就看到目標上一個圓圈不停的閃爍。

  趙國慶一旁說:「如果在開火狀態下,你一瞪眼飛彈就發射了!」

  「……」

  「這就是瞪誰誰死系統!」

  「起的什麼破名字,不過我喜歡,哈哈!」木總接著說:「去年年底的時候我在莫斯科飛了一次蘇27,毛熊也有這種頭盔,不過人家不賣給我們,我戴過一次,頭盔上面有光學瞄具,開火也很容易,不過跟你這比起來,似乎沒你這個先進!」

  那還用說,毛熊的是二代頭盔,而102所直接從三代頭盔起步,還應用了一些四代頭盔的技術。

  木總說:「這個……頭盔……什麼時候能成為貨架技術!」

  「……」趙國慶說:「還需要一點點時間!」

  「……」

  一個高解析度LCD顯示技術,CCD感光晶片,圖像處理,眼球動作捕捉需要的高速處理晶片,還有跟光電探測器連接的鏈路和信息處理計算機,與飛機的雷達,武器系統、各種儀器數據對接的接口……

  這所有的問題,從248納米光刻機來華,已經解決了一大半……

  …………


  1991年6月的最後一天,來自ASML的首批七台光刻機來到深市,其中五台是中訊光刻廠的,另外兩台則是拖到了102廠。

  相比於中訊科技一開始摸索300納米製造工藝,趙國慶則拿102所的兩台248納米的光刻機,直接挑戰248納米雷射的極限制程,180納米製造工藝。

  這事趙國慶親自來主持。

  102所的光刻機車間,早已經按照無塵車間的要求準備妥當,花了半個月的時間,將機器安排就位,同一車間內還裝有來自尼康的蝕刻機,清洗機,設備已然是全世界最頂尖的了。

  「氣相成底膜!」

  隨著操作人員的報出指令,一步步程序有序進行。

  「旋轉塗膠!」

  在光刻機內部,機器自動在晶片上塗上光刻膠,隨著晶片的轉動,檢測工具同時啟動,大概多了三分鐘,隨著顯示燈上綠燈亮起,這一步也完成了,機器臂直接送到軟烘箱,在暖烘箱裡面,溫度精準到87度的,濕度在7以內的乾燥空氣緩緩流動。

  而每一步都有數個傳感器在跟蹤,光刻膠烘乾之後,便送到工台上,整個對準的時間只要30秒。

  「太先進了!」

  「我以為PA3000已經很先進,沒想到DU1800先進這麼多!」

  「是啊,整個過程縮短了十七分鐘!」

  曝光需要用五個雷射脈衝,而多重曝光需要在程序裡面設置曝光三次,然後用第二張掩膜版,分兩輪曝光才能得到想要的圖案,完成之後浸入顯影液中,拿出來繼續烘培,傳感器進行顯影檢查……

  考驗技術的時候來了,一種先進的製程不是先進的光刻機就能解決的,哪怕後世三星、台積電,他們買duv光刻機也是不受限制的,但他們搞3納米,5納米,也要投入上百億美元來研發。

  先進的支持需要設計匹配的半導體結構,比如FinFET結構,需要設計曝光方法,比如多重曝光方案,哪怕這些都解決了,伱這是在矽片上把這些半導體電晶體製造出來了。

  可還有一項你要是沒有解決的話,晶片還是不能發揮作用。

  那就是連接半導體之間的導線。

  行業話說是金屬極+高介電常數絕緣層。

  這是一個困擾所有半導體廠家的難題,比如現在的Intel,已經花了數億美元來摸索,在晶片中,怎麼把連接電晶體的鋁導線,變成銅導線。

  而他們到現在還沒有解決。

  但趙國慶憑著在伯克利大學研究室的經歷知道解決這個問題最有效的辦法。


  那就是「金屬柵極」,能夠有效解決柵介質薄弱導致的漏電或多晶矽柵耗盡效應的一系列問題,並且可以提供最佳的效能表現。

  這是通向未來的鑰匙,是踩著99%的半導體廠家屍體摸索出來的……

  曝光過後的矽片經過蝕刻,形成凹凸的表面,接下來便是後柵極工藝處理,對矽片進行漏/源區離子注入操作。

  接下來便是重點了,在第一時間將矽片加溫至530攝氏度,保持五分鐘,然後在十秒內進行退火處理。

  看起來簡單,做起來難,其中夾雜著柵極氧化層,後柵極製造,襯底處理,建偽柵,去偽柵,化學機械研磨CMP等27項步驟,這還不包括各個步驟之間的蝕刻,清洗等內容……

  只要錯了一步,便不能達到想要的效果。

  可以想像,設計這套工藝製程的人得多牛逼。

  而這套工藝是還在台積電打拼的梁錦松同志設計的14納米製造工藝,這套工藝甚至可以用在7納米晶片上。

  而當時的趙國慶與梁錦松,雖然沒有見過面,但他們也算是校友。

  在加州大學伯克利分校的物理實驗室,他和他的合作夥伴紀堯姆·拉科爾教授、以及FinFET半導體結構的發明者胡正民教授,複製了整個過程……

  印象深刻……

  (還有更新耶)


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